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DRV8705HQRHBRQ1

Name: Texas Instruments DRV8705HQRHBRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-DRV8705HQRHBRQ1
Price: 2.59 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-DRV8705HQRHBRQ1

Fabr. N.º:

DRV8705HQRHBRQ1

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

Controlador de puerta Automotive 40-V H- b ridge Smart Gate Dr

Hoja de datos:

DRV8705HQRHBRQ1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,59 €	2,59 €
	1,93 €	19,30 €
	1,76 €	44,00 €
	1,58 €	158,00 €
	1,50 €	375,00 €
	1,44 €	720,00 €
	1,40 €	1.400,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	1,36 €	4.080,00 €
	1,33 €	7.980,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VQFN-32
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	5 mA
Tensión del suministro - Mín:	4.9 V
Tensión del suministro - Máx:	37 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	DRV8705
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.):	850 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si

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Atributos seleccionados: 0

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Application Notes

PCN

Product Change Notification 2024-08-20 (PDF)

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

DRV8705-Q1 H-Bridge Smart Gate Driver

Texas Instruments DRV8705-Q1 H-Bridge Smart Gate Driver is a highly integrated H-bridge gate driver capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive voltages using an integrated doubler charge pump for the high side and a linear regulator for the low side. The device uses a smart gate-drive architecture to reduce system costs and improve reliability. The gate driver optimizes dead time to avoid shoot-through conditions. It also provides control to decrease electromagnetic interference (EMI) through the adjustable gate drive current and protects against drain to source and gate-short conditions with V_DS and V_GS monitors.