Resultados: 6
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Toshiba MOSFET 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 1.1 mohm 4.783En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 40 V 120 A 1.96 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 0.79mohm 4.604En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 40 V 150 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 6mohm 2.837En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 107 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38 nC + 175 C 135 W Enhancement Reel
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm 4.520En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 79 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 26 nC + 175 C 109 W Enhancement Reel
Toshiba MOSFET SOP8 N-CH 40V 150A
9.873Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 62 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm
15.000Fecha prevista: 17/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 71 nC + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape