DMN601WKQ N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMN601WKQ N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are Electrostatic Discharge (ESD) protected with fast switching speed. These MOSFETs are low on-resistance (RDS(ON)), low threshold voltage, low input capacitance, and low input/output leakage. The moisture sensitivity of these MOSFETs is of level 1 as per J-STD-020 standard. The DMN601WKQ MOSFETs from Diodes Incorporated are qualified to AEC-Q101 standard and PPAP (Production Part Approval Process) capable. These MOSFETs are free from lead, antimony, and halogen and are available in the S0T323 package.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Empaquetado
Diodes Incorporated MOSFET 2N7002 Family 8.892En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 10.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 65 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 2N7002 Family 8.782En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 65 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel