TRSxE65F SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba TRSxE65F SiC Schottky Barrier Diodes exhibit the chip design of 2nd generation and come in TRS6E65F and TRS8E65F variants. The TRSxE65F diodes feature high surge current, small junction capacitance, and small reverse current. These diodes are available in 10.05mm x 15.3mm x 4.45mm dimensions. The Toshiba TRSxE65F Schottky barrier diodes are ideal for power factor correction, uninterruptible power supplies, and DC-DC converters.

Resultados: 7
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Toshiba Diodos Schottky de SiC V=650 IF=8A
Hoja de datos
7En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 2A RDL SIC SKY
Hoja de datos
8En existencias
300Fecha prevista: 15/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 3A RDL SIC SKY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 4A RDL SIC SKY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC V=650 IF=6A
Hoja de datos
Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube