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MMFTP2319

Name: Diotec Semiconductor MMFTP2319
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP2319
Price: 0.52 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

637-MMFTP2319

Fabr. N.º:

MMFTP2319

Fabr.:

Diotec Semiconductor

Descripción:

MOSFET MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

Hoja de datos:

MMFTP2319 Hoja de datos (PDF)

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,525 €	0,53 €
	0,371 €	3,71 €
	0,259 €	25,90 €
	0,227 €	113,50 €
	0,211 €	211,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,156 €	468,00 €
	0,116 €	1.044,00 €
	0,113 €	2.712,00 €
	0,086 €	3.870,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-23-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4.2 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	80 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	20 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	750 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	28 ns
Serie:	MMFTN/P
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	19 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns

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Hoja de datos

MMFTP2319 Hoja de datos (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET

Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET offers fast switching times in a SOT-23/TO-236 package. The MMFTP2319 FET features a 40V maximum drain-source voltage, 750mW maximum power dissipation, and a 4.2A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.