NTBGSxDxN15MC & NVBGSxDxN15MC N-Channel MOSFETs

onsemi NTBGSxDxN15MC and NVBGSxDxN15MC N-Channel MOSFETs feature 150V drain-to-source voltage (V(BR)DSS) and low switching noises/EMI. These devices offer low QG and capacitance to minimize driver losses and low RDS(on) to minimize conduction losses. The NTBGSxDxN15MC and NVBGSxDxN15MC MOSFETs are available in a Pb-free, Halogen-free/BFR-free, and RoHS compliant D2PAK7 package. Typical applications include power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, home automation, industrial forklifts, and traction control systems.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
onsemi MOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL 1.229En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 121 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 57 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL 1.441En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 185 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 88.9 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel