OptiMOS™ 5 Linear FET 2 MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Linear FET 2 MOSFETs are optimized for hot-swap and e-fuse applications, offering exceptional performance with very low on-resistance RDS(on) and a wide safe operating area (SOA). These N-channel, normal-level MOSFETs are 100% avalanche-tested for reliability and feature Pb-free lead plating, ensuring RoHS compliance. Additionally, the MOSFETs are halogen-free by IEC61249-2-21 standards, making them eco-friendly for demanding applications.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 5.674En existencias
2.000Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 321 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 165 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1.699En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 243 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 115 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 176 A in 8 mm x 8 mm footprint
12.730Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 284 A 1.7 mOhms 20 V 3.45 V 142 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel