STGWA30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGWA30M65DF2
STGWA30M65DF2

Fabr.:

Descripción:
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss in a TO-247 long leads

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 600   Múltiples: 600
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
1,03 € 618,00 €
1,01 € 1.212,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
- 20 V, 20 V
STGWA30M65DF2
Tube
Marca: STMicroelectronics
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 600
Subcategoría: IGBTs
Peso unitario: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.