SI7454FDP-T1-RE3

Vishay / Siliconix
78-SI7454FDP-T1-RE3
SI7454FDP-T1-RE3

Fabr.:

Descripción:
MOSFET SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET

Modelo ECAD:
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En existencias: 18.152

Existencias:
18.152 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
13 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
1,16 € 1,16 €
0,74 € 7,40 €
0,452 € 45,20 €
0,366 € 183,00 €
0,338 € 338,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
0,302 € 906,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
100 V
23.5 A
29.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
17.4 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay / Siliconix
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Transconductancia delantera: mín.: 33 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 5 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 19 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 9 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Si7454FDP N-Channel 100V MOSFET

Vishay / Siliconix Si7454FDP N-Channel 100V MOSFET is a TrenchFET® Gen IV power MOSFET with very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM). The Si7454FDP has a 23.5A ID and 8nC Qg. The Vishay / Siliconix Si7454FDP MOSFET is housed in a single PowerPAK® SO-8 package and has a specified -55°C to +150°C operating junction and storage temperature range.

Si74 MOSFETs

Vishay Si74 MOSFETs feature TrenchFET® technology that lowers the on-resistance, ensuring reliability and performance in a 30V to 250V range. The N- and P-channel MOSFETs are halogen-free under the IEC 61249-2-21 definition. Housed in the PowerPAK® package, these MOSFETs boast low thermal resistance, compact size, and a slim 1.07 mm profile, making them ideal for applications where space and thermal management are critical.

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Los MOSFET de canal N TrenchFET® Gen IV deVishay Siliconix son MOSFET de alimentación de canal N de la familia TrenchFET® de última generación de Vishay. Estos nuevos dispositivos utilizan un diseño de alta densidad y los SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP, y SiSA04DN ofrecen la resistencia de encendido más baja del sector de 1,35 mΩ a 4,5 V, y una baja carga de compuerta total en los paquetes SO-8 y 1212-8 PowerPAK®. Sus prestaciones incluyen un RDS(activo)bajo, que adapta la tensión a menores pérdidas de conducción para reducir el consumo de energía, una relación Qdg/Qgs muy baja de 0,5 o inferior, y los paquetes 1212-8 PowerPAK® con una eficiencia similar y un tercio de su tamaño. Las aplicaciones habituales incluyen convertidores CC/CC de alta potencia, rectificación síncrona, convertidores de tipo buck síncronos y OR-ing.
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