QPA1111 Power Amplifiers

Qorvo QPA1111 Power Amplifiers are high-power, packaged X-Band MMIC amplifiers fabricated using 0.15μm GaN-on-SiC process (QGaN15). These amplifiers operate from 8.5GHz to 10.5GHz frequency range and a storage temperature of -55°C to 150°C range. The QPA1111 amplifiers offer 30W saturated output power with a power-added efficiency of 45% and a small signal gain of 38dB. These amplifiers are fully matched to 50Ω with DC-grounded I/O ports for optimum ESD performance and to simplify system integration. The QPA1111 power amplifiers are 100% DC and RF tested to ensure compliance with electrical specifications and are ideal for radar, satellite communications, and datalink applications.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación
Voltaje operativo de suministro
Corriente de suministro operativa
Ganancia
Tipo
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Tecnología
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Qorvo Amplificador de RF 30W X-Band MMIC PA
Hoja de datos
40En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

8.5 GHz to 10.5 GHz 22 V 620 mA 27 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-40 GaN SiC - 40 C + 85 C QPA1111 Reel
Qorvo Amplificador de RF 30W X-Band MMIC PA
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 250
Múlt.: 250
Bobina: 250
8.5 GHz to 10.5 GHz 38 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaN - 40 C + 85 C QPA1111 Reel