RFN10BGE3STL

ROHM Semiconductor
755-RFN10BGE3STL
RFN10BGE3STL

Fabr.:

Descripción:
Rectificadores RECT 350V 10A SM SUPER FST

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 3.657

Existencias:
3.657 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
1,16 € 1,16 €
0,739 € 7,39 €
0,622 € 62,20 €
0,49 € 245,00 €
0,448 € 448,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
0,418 € 1.045,00 €
0,413 € 2.065,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Rectificadores
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
TO-252GE-3
350 V
10 A
Super Fast Recovery Diode
Single
1.5 V
80 A
10 uA
30 ns
+ 150 C
Reel
Cut Tape
Marca: ROHM Semiconductor
Producto: Rectifiers
Tipo de producto: Rectifiers
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Alias de parte #: RFN10BGE3S
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

RFN10BGE3STL Super Fast Recovery Diode

ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL Super Fast Recovery Diode features silicon epitaxial planar construction with high current overload capacity and low switching loss. This superfast recovery diode is stored at -55°C to 150°C temperature range and offers 350V repetitive peak reverse voltage. The RFN10BGE3STL diode functions at 10A average rectified forward current, 1.5V maximum forward voltage, 10μA maximum reverse current, and 150°C junction temperature. This diode is ideal for use in general rectification.