PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs utilize Trench technology to improve the product characteristics. These MOSFETs feature low drain-source on resistance and 80V drain-source voltage. The PSMxN08NS1 MOSFETs are 100% avalanche-tested, 100% Rg-tested, and lead-free in compliance with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are ideal for use in Battery Management Systems (BMSs), Brushless Direct Current (BLDC) motors, SMPS, and telecommunications power systems.

Resultados: 4
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Panjit MOSFET 80V 5.5mohm MV MOSFET
Hoja de datos
1.163En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 108 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.75 V 65.8 nC - 55 C + 150 C 113.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 80V 5.5mohm Tjmax 175C MV MOSFET
Hoja de datos
1.792En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 111 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.75 V 65.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 80V 3.4mohm MV MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 161 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.75 V 103.5 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 80V 3.4mohm Tjmax 175C MV MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 166 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.75 V 103.5 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement Tube