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AFV10700GSR5

Name: NXP AFV10700GSR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-AFV10700GSR5
Price: 691.65 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

771-AFV10700GSR5

Fabr. N.º:

AFV10700GSR5

Fabr.:

NXP Semiconductors

Descripción:

Transistores RF MOSFET Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V

Hoja de datos:

AFV10700GSR5 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores RF MOSFET
RoHS:
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id: corriente de drenaje continuo:	2.6 A
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	105 V
Frecuencia de operación:	1.03 GHz to 1.09 GHz
Ganancia:	19.2 dB
Energía de salida:	700 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	NI-780GS-4L
Empaquetado:	Reel
Marca:	NXP Semiconductors
Número de canales:	2 Channel
Pd (disipación de potencia):	526 W
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	AFV10700
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	+ 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.3 V
Alias de parte #:	935362013178

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Hoja de datos

AFV10700GSR5 Hoja de datos (PDF)

PCN

Declaration of Compliance - RoHS Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

AFV10700H RF Power LDMOS Transistor

NXP Semiconductors AFV10700H RF Power LDMOS Transistor is designed for pulse applications operating at 1030MHz to 1090MHz. This LDMOS Transistor can also be used over the 960MHz to 1215MHz band at reduced power. This device is suitable for use in defense and commercial pulse applications with large duty cycles and long pulses, such as IFF, secondary surveillance radars, ADS-B transponders, DME, and other complex pulse chains.