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SI3129DV-T1-GE3

Name: Vishay SI3129DV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3129DV-T1-GE3
Price: 0.9 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SI3129DV-T1-GE3

Fabr. N.º:

SI3129DV-T1-GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET TSOP6 P-CH 80V 3.8A

Hoja de datos:

SI3129DV-T1-GE3 Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,903 €	0,90 €
	0,567 €	5,67 €
	0,371 €	37,10 €
	0,286 €	143,00 €
	0,259 €	259,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,22 €	660,00 €
	0,204 €	1.224,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSOP-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	5.4 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	82.7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	12 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	4.2 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	25 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Peso unitario:	20 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si3129DV P-Channel 80V (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix Si3129DV P-Channel 80V (D-S) MOSFET is 100% R_g tested in a TSOP-6 single package. The Si3129DV MOSFET offers a ±20V gate-source voltage and an -55°C to 150°C operating junction temperature range. The Vishay / Siliconix Si3129DV P-Channel 80V MOSFET is designed for power management for portable and consumer applications.