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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
ROHM Semiconductor IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
487En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
711En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
870En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
886En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
838En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
Hoja de datos
238En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C Tube