Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

QPD1006

Name: Qorvo QPD1006
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1006
Price: 1288 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

772-QPD1006

Fabr. N.º:

QPD1006

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

FET de GaN 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET

Hoja de datos:

QPD1006 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Qorvo QPD1006

En existencias: 18

Existencias:: 18 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Las cantidades mayores que 18 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1.288,00 €	1.288,00 €
25	Cotización

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	NI-50CW
Polaridad de transistor:	N-Channel
Id: corriente de drenaje continuo:	14 A
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Pd (disipación de potencia):	445 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	QPD1006EVB3
Ganancia:	17.8 dB
Voltaje máximo drenaje puerta:	145 V
Frecuencia operativa máxima:	1.4 GHz
Frecuencia operativa mínima:	1.2 GHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Energía de salida:	450 W
Empaquetado:	Waffle
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1006
Cantidad del paquete de fábrica:	36
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

QPD1006 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

QPD1006 GaN RF IMFET Transistor

Qorvo QPD1006 GaN RF Internally Matched FET (IMFET) Transistor is a 450W GaN SiC high-electron mobility transistor (HEMT). The QPD1006 transistor operates from 1.2GHz to 1.4GHz frequency range and a 50V supply rail. This device can support pulsed and continuous wave (CW) operations. Qorvo QPD1006 transistor is GaN IMFET fully matched to 50Ω in an industry-standard air cavity package. This IMFET transistor is ideally suited for military and civilian radar.