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CGHV31500F1

Name: MACOM CGHV31500F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV31500F1
Price: 1068.63 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-CGHV31500F1

Fabr. N.º:

CGHV31500F1

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz,Long-pulse, Flange

Hoja de datos:

CGHV31500F1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
Restricciones de envío:	Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.
RoHS:	N
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	440226-2
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	500 mA
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 75 C
Pd (disipación de potencia):	418 W
Marca:	MACOM
Voltaje máximo drenaje puerta:	- 2.7 V
Frecuencia operativa máxima:	3.1 GHz
Frecuencia operativa mínima:	2.7 GHz
Energía de salida:	500 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT

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Hoja de datos

CGHV31500F1 Hoja de datos (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.2

CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT

MACOM CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT offers high efficiency and high gain designed explicitly for the 2.7GHz to 3.1GHz S-Band radar band. The gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) delivers an extended pulse capability to meet emerging radar architecture trends.