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FDT4N50NZU

Name: onsemi FDT4N50NZU
Brand: onsemi
SKU: 863-FDT4N50NZU
Price: 1.63 EUR
Availability: InStock

Mouser REF:

863-FDT4N50NZU

Fabr. N.º:

FDT4N50NZU

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET UNIFET II 3OHM SOT223

Hoja de datos:

FDT4N50NZU Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	1,63 €	1,63 €
	1,02 €	10,20 €
	0,70 €	70,00 €
	0,555 €	277,50 €
	0,513 €	513,00 €
	0,48 €	960,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 4000)
	0,48 €	1.920,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	500 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.5 V
Qg (carga de compuertas):	9.1 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDT4N50NZU
Cantidad del paquete de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors

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PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

onsemi FDT4N50NZU UniFET II MOSFET is a high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. The MOSFET has a small on-state resistance among the planar MOSFET. It provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. An internal gate-source ESD diode allows the UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress.