Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

R8011KNXC7G

Name: ROHM Semiconductor R8011KNXC7G
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8011KNXC7G
Price: 5.01 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

755-R8011KNXC7G

Fabr. N.º:

R8011KNXC7G

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 11A 3rd Gen, Fast Switch

Hoja de datos:

R8011KNXC7G Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre ROHM Semiconductor R8011KNXC7G

En existencias: 1.750

Existencias:: 1.750 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	5,01 €	5,01 €
	2,66 €	26,60 €
	2,43 €	243,00 €
	2,23 €	1.115,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220FM-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	800 V
Id: corriente de drenaje continuo:	11 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	450 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	37 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	65 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	25 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	25 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	70 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	25 ns
Alias de parte #:	R8011KNX

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

R8011KNXC7G Hoja de datos

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

R8011KNX N-Channel 800V 11A Power MOSFET

ROHM Semiconductor R8011KNX N-Channel 800V 11A Power MOSFET is a low on-resistance device with fast switching. The R8011KNX features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs have parallel use that is easy to use.