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RA1C030LDT5CL

Name: ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RA1C030LDT5CL
Price: 0.42 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RA1C030LDT5CL

Fabr. N.º:

RA1C030LDT5CL

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)

Hoja de datos:

RA1C030LDT5CL Hoja de datos

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	0,421 €	0,42 €
	0,335 €	3,35 €
	0,214 €	21,40 €
	0,162 €	81,00 €
	0,131 €	131,00 €
	0,116 €	580,00 €
	0,096 €	960,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 15000)
	0,095 €	1.425,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	WLCSP-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	140 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 200 mV, 7 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.5 V
Qg (carga de compuertas):	1.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 50 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	15000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	15 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6 ns
Alias de parte #:	RA1C030LD

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RA1C030LD WLCSP MOSFET

ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET is an N-channel MOSFET designed with a low on-resistance and high power package. This device features a 20V_DSS drain-source voltage, 3A continuous drain current, and 1W power dissipation. The RA1C030LD MOSFET offers 1.8V drive voltage, Electro-Static Discharge (ESD) protection up to 200V (MM), and up to 2kV (HBM). This MOSFET is suitable for switching circuits, single-cell battery applications, and mobile applications. The RA1C030LD MOSFET is Pb-free, halogen-free, and RoHS-compliant device.