IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.

Resultados: 45
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies IGBT 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
Hoja de datos
84En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
Hoja de datos
208En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Hoja de datos
229En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 429 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Hoja de datos
337En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Hoja de datos
71En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Hoja de datos
97En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Hoja de datos
110En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Hoja de datos
68En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 338 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Hoja de datos
82En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Hoja de datos
121En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Hoja de datos
207En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
1.511En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 60 A 188 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
2.550En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
Hoja de datos
251En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
354En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
453En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube

Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
380En existencias
240Fecha prevista: 05/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
2En existencias
720Fecha prevista: 21/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 333 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Hoja de datos
479Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
605Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 273 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube