TQP3M9040 & TQP3M9041 Dual Low Noise Amplifiers

Qorvo TQP3M9040 and TQP3M9041 Dual Low Noise Amplifiers (LNA) consist of a single monolithic GaAs (Gallium Arsenide) E-pHEMT (Enhancement-Mode Pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor) die and integrate bias circuitry as well as shut-down capability. This design enables the TQP3M9040 and TQP3M9041 LNAs to be useful for both Frequency Division Duplex (FDD) and Time Division Duplex (TDD) applications. Both devices do not require a negative supply for operation and are bias adjustable for both drain current and voltage. These balanced amplifiers are optimized for high performance receivers in wireless infrastructure and can be used for base-station transceivers or tower mounted amplifiers.    

Resultados: 2
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación Voltaje operativo de suministro Corriente de suministro operativa Ganancia NF - Valor de ruido Tipo Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Tecnología P1dB - Punto de compresión OIP3 - Interceptación de tercer pedido Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
Qorvo Amplificador de RF 2.3-4.0GHz NF.77dB Gain 18 dB 645En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

2.3 GHz to 6 GHz 2 V to 5 V 57 mA 18.4 dB 0.8 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT QFN-16 Si 22.5 dBm 38.2 dBm - 40 C + 105 C TQP3M9041 Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo Amplificador de RF 1.5-2.3GHz NF .67dB High Gain 18dB No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

1.5 GHz to 2.3 GHz 5 V 57 mA 18 dB 0.18 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT QFN-16 Si 20.8 dBm 39.8 dBm - 40 C + 105 C TQP3M9040 Reel