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STP80N1K1K6

Name: STMicroelectronics STP80N1K1K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N1K1K6
Price: 2.05 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STP80N1K1K6

Fabr. N.º:

STP80N1K1K6

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

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	1,32 €	13,20 €
	0,903 €	90,30 €
	0,719 €	359,50 €
	0,674 €	674,00 €
	0,612 €	1.224,00 €
	0,598 €	2.990,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STP80N1K1K6 N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Channel Power MOSFET uses MDmesh K6 technology, leveraging 20 years of experience in super junction technology. The STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET offers top-notch on-resistance per area and gate charge. The device is ideal for high-power density and efficient applications.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.