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NTB110N65S3HF

Name: onsemi NTB110N65S3HF
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB110N65S3HF
Price: 5.31 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTB110N65S3HF

Fabr. N.º:

NTB110N65S3HF

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET SUPERFET3 650V FRFET110M

Hoja de datos:

NTB110N65S3HF Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	5,31 €	5,31 €
	3,75 €	37,50 €
	3,12 €	312,00 €
	2,70 €	1.350,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	2,70 €	2.160,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	30 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	110 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	62 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	240 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperFET III
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Transconductancia delantera: mín.:	18 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	25 ns
Serie:	SuperFET3
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	85 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns
Peso unitario:	1,485 g

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NTB110N65S3HF Hoja de datos

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® III Power MOSFET

onsemi NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET^® III Power MOSFET is a high-voltage Super-Junction (SJ) MOSFET utilizing Charge Balance technology for outstanding low on-resistance and low gate charge performance. Charge Balance technology minimizes conduction loss, providing superior switching performance, and enabling the ability to withstand extreme dV/dt rates. The NTB110N65S3HF SUPERFET III MOSFET is ideal for power systems requiring miniaturization and high efficiency. The NTB110N65S3HF also features optimized reverse recovery body diode performance, resulting in fewer required additional components, and improved system reliability.