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NTMFSS0D9N03P8

Name: onsemi NTMFSS0D9N03P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFSS0D9N03P8
Price: 2.39 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTMFSS0D9N03P8

Fabr. N.º:

NTMFSS0D9N03P8

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 30V PT8 IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

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	2,39 €	2,39 €
	1,55 €	15,50 €
	1,11 €	111,00 €
	0,929 €	464,50 €
	0,799 €	799,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,799 €	2.397,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TDFN-9
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	294 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	127 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	125 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	49.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	19.3 ns
Serie:	NTMFSS0D9N03P8
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	125.4 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	20.4 ns

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Hoja de datos

NTMFSS0D9N03P8 Hoja de datos

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFSS0D9N03P8 N-Channel MOSFET

onsemi NTMFSS0D9N03P8 N-Channel MOSFET is a single source-down MOSFET that features low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. This N-channel MOSFET operates at 30V drain-to-source voltage (V_DS), ±20V gate-to-source voltage (V_GS), and 294A drain current. The NTMFSS0D9N03P8 MOSFET is offered in a 5mm x 6mm package with source down and center gate design to improve power density, efficiency, and thermal performance. This N-channel MOSFET is Pb-free, halogen-free / BFR-free, and RoHS-compliant. The NTMFSS0D9N03P8 MOSFET is ideal for ORing, motor drives, power load switches, and DC/DC.