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SCT4013DRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4013DRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4013DRC15
Price: 30.16 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

755-SCT4013DRC15

Fabr. N.º:

SCT4013DRC15

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC

Hoja de datos:

SCT4013DRC15 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 450

Fecha prevista: 11/11/2026
Plazo de producción de fábrica:: 27

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	30,16 €	30,16 €
	22,29 €	222,90 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	105 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	16.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, + 21 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Qg (carga de compuertas):	170 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	312 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Transconductancia delantera: mín.:	32 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	32 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	82 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns
Alias de parte #:	SCT4013DR

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Specification Sheets

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de SiC de canal N de 750 V

Los MOSFET de SiC de canal N de 750 V de ROHM Semiconductor pueden aumentar la frecuencia de conmutación, lo que reduce el volumen de condensadores, reactores y otros componentes necesarios. Estos MOSFET de SiC están disponibles en los paquetes TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA y TO-247-4L. Los dispositivos tienen una resistencia estática de drenaje a fuente en estado encendido [R_DS(on)] (típica) de 13 mΩ a 65 mΩ y una corriente continua de drenaje (I_D) y de fuente (I_S) (T_C=25°C) de 22 A a 120 A. Estos MOSFET de SiC de canal N de 750 V de ROHM Semiconductor ofrecen altas tensiones de resistencia, baja resistencia en estado encendido y características de conmutación de alta velocidad, aprovechando los atributos únicos de la tecnología SiC.

SCT4013DR N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4013DR N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is a high-performance device designed for demanding power electronics applications. Featuring a drain-source voltage rating of 750V and a 105A continuous drain current (at +25°C), this device offers exceptional efficiency and thermal performance. The low on-resistance of 13mΩ (typical) and fast switching characteristics make the ROHM SCT4013DR ideal for high-frequency applications such as power supplies, inverters, and motor drives. The SCT4013DR also benefits from the inherent advantages of SiC technology, including a high breakdown voltage, low switching losses, and superior thermal conductivity, which contribute to reduced system size and improved reliability. Packaged in a TO-247-4L case, the MOSFET supports robust thermal management and ease of integration into existing designs.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.