STP65N150M9

STMicroelectronics
511-STP65N150M9
STP65N150M9

Fabr.:

Descripción:
MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
150 mOhms
- 30 V, 30 V
3.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 5 ns
Serie: MDmesh M9
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado: 40 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 12 ns
Peso unitario: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

STP65N150M9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP65N150M9 Power MOSFET is based on super-junction MDmesh M9 technology. The device is suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon-based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process, allowing an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values among all silicon-based fast-switching super-junction Power MOSFETs. This makes it ideal for applications that require superior power density and outstanding efficiency.

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.

Disponibilidad

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Plazo de producción de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
4,21 € 4,21 €
2,37 € 23,70 €
1,92 € 192,00 €
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