Resultados: 13
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 400V 10A N-CH MOSFET 2.265En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET 4.635En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 400V 10 Amp 6.163En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET 11.726En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 400V 10 Amp 211En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET 916En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO262 400V 10A N-CH MOSFET 1.689En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET 1.456En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET 2.684En existencias
4.000Fecha prevista: 16/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 400V 10 Amp 1.303En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 400V 10 Amp 3.183En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET 5.993En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 400V No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel