MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (VDS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (VGS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

Resultados: 7
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET
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46.318En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
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3.450En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 2 Channel 50 V 100 mA 20 Ohms - 7 V, 7 V 900 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V
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4.454En existencias
6.000Fecha prevista: 27/07/2026
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 100 mA 20 Ohms - 7 V, 7 V 900 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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2.546En existencias
18.000Pedido
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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1.106En existencias
12.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V
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6.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 6 nC + 150 C 1.6 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package
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2.989Fecha prevista: 02/07/2026
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 440 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel