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SIZF906BDT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF906BDT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZF906BDT-T1-GE3
Price: 2.37 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIZF906BDT-T1-GE3

Fabr. N.º:

SIZF906BDT-T1-GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET PPAIR6X5 2NCH 30V 36A

Hoja de datos:

SIZF906BDT-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,37 €	2,37 €
	1,54 €	15,40 €
	1,06 €	106,00 €
	0,859 €	429,50 €
	0,794 €	794,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,729 €	2.187,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAIR-6x5F-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	105 A, 257 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	680 uOhms, 2.1 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 16 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.2 V
Qg (carga de compuertas):	25 nC, 81 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	38 W, 83 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	5 ns, 10 ns
Transconductancia delantera: mín.:	93 S, 170 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns, 30 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns, 40 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns, 20 ns
Peso unitario:	337,318 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiZF906BDT Dual N-Channel (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix SiZF906BDT Dual N-Channel (D-S) MOSFET is a SkyFET^® low side MOSFET with integrated schottky. The TrenchFET^® Gen IV power MOSFET is offered in a PowerPAIR 6x5F package and is 100% Rg and UIS tested. The Vishay / Siliconix SiZF906BDT Dual MOSFET is ideal for CPU core power, computer/server peripherals, POL, synchronous buck converter, and telecom DC/DC applications.