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PSMN012-60HLX

Name: Nexperia PSMN012-60HLX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN012-60HLX
Price: 1.77 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

771-PSMN012-60HLX

Fabr. N.º:

PSMN012-60HLX

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET PSMN012-60HL/SOT1205/LFPAK56D

Hoja de datos:

PSMN012-60HLX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,77 €	1,77 €
	1,13 €	11,30 €
	0,771 €	77,10 €
	0,654 €	327,00 €
	0,546 €	546,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,519 €	778,50 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LFPAK-56D-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	40 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	12.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.1 V
Qg (carga de compuertas):	22.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	64 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Alias de parte #:	934665394115

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMN012 N-channel MOSFET

Nexperia PSMN012 N-channel MOSFET is a dual logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package. The Nexperia MOSFET uses application-specific (ASFET) repetitive avalanche silicon technology. The device is tested to 1Bn avalanche events.