Schottky Barrier Rectifiers

Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers are available in four packages (DO-214AC (SMA), DO-214AA (SMB), DO-214AB (SMC), SOD-123W) to provide a wide variety of choices to meet the customer's design requirements. These devices are available in 1A, 2A, 3A, and 4A forward current (IF) ratings and repetitive peak reverse voltage (VRRM) choices of 40V, 60V, and 100V. The peak forward surge current (IFSM) is available in either 70A, 100A, or 145A ratings. These Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers have a low power loss and are highly efficient.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Taiwan Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky 3A, 100V Schottky Barrier Surface Mount Rectifier
Hoja de datos
1.400En existencias
7.500Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 7.500

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DO-214AC-2
Taiwan Semiconductor MOSFET 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

MOSFETs Si Through Hole ITO-220S-3
Taiwan Semiconductor MOSFET 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

MOSFETs Si Through Hole ITO-220S-3
Taiwan Semiconductor MOSFET 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

MOSFETs Si Through Hole ITO-220S-3
Taiwan Semiconductor MOSFET 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

MOSFETs Si Through Hole ITO-220TL-3