FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT Module

Infineon Technologies FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT Module is a 3.3kV, 450A Dual Insulated Gate Bipolar Transistor Module with TRENCHSTOP™ IGBT3 and an emitter controlled diode. Designed specifically for high-power operations, the highly integrated XHP IGBT Modules cover the full-voltage range of IGBT chips from 3.3kV to 6.5kV. Sharing the same compact 140mm x 100mm x 40mm dimensions, these IGBT Modules allow for scalable design with best-in-class reliability and high power density. The FF450R33T3E3B5 IGBT module features enhanced isolation of 10.4kV.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente continua del colector a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Pd (disipación de potencia)
Empaquetado / Estuche
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 3300 V, 450 A dual IGBT module
Hoja de datos
4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 3.3 kV 2.5 V 450 A 400 nA 1 MW AG-XHP100-3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT XHP HV
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 3.3 kV 2.5 V 450 A 400 nA 1 MW AG-XHP100-6 - 40 C + 150 C Tray