CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

Resultados: 191
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
3.958En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
25En existencias
500Fecha prevista: 16/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
648En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
25En existencias
500Fecha prevista: 03/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
598En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
3.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 50 C + 150 C 13 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
516En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
178En existencias
240Fecha prevista: 16/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
217En existencias
240Fecha prevista: 16/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
298En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
215En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
130En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 121 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
174En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
73En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
1.494En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 7.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
328En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
538En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Hoja de datos
197En existencias
4.500Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 43.1 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
15En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
231En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
38En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
42.720Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.999Fecha prevista: 19/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.990Fecha prevista: 20/08/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.947Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube