1200V TRENCHSTOP™ IGBT6

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP™ IGBT6 are designed to meet requirements of high efficiency, lower conduction losses, and switching losses. These TRENCHSTOP IGBT6 feature low gate charge, low Electromagnetic Interference (EMI), easy paralleling capability, high efficiency in hard switching, and resonant topologies. The TRENCHSTOP IGBT6 is released in 2 product families, low conduction losses optimized S6 series and improved switching losses H6 series. These IGBT6 are plug-and-play replacements of predecessor HighSpeed3 H3 IGBT. The TRENCHSTOP IGBT6 implement the trench and fieldstop technology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diode. These 1200V TRENCHSTOP IGBT6 achieve easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in VCEsat. Typical applications include industrial UPS, energy storage, three-level solar string inverter, and welding.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
2.344En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 30 A 200 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP IGBT6 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
257En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 500 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT6 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
1.698Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 500 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT6 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
718Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 150 A 880 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT6 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
240Fecha prevista: 16/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3-46 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 150 A 880 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT6 Tube