R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs

ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs incorporate fast recovery diodes to optimize board space while providing 600V in five package types. These third-generation metal-oxide semiconductor field-effect transistors are ideal for power supplies with integrated inverters. These ROHM devices combine high-speed switching with an internal diode and high reverse recovery time (trr) characteristics for optimized efficiency and lower loss while contributing to smaller designs.

Resultados: 73
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 42A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
135En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 104 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 100 nC - 55 C + 150 C 495 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
279En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
270En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
1.570En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 780 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement PrestoMOS Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.43 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement PrestoMOS Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 936 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement PrestoMOS Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 780 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement PrestoMOS Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 15A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 234 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 45 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 234 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 45 nC - 55 C + 150 C 252 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 234 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 45 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 25A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 57 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 25A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 57 nC - 55 C + 150 C 306 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V Vdss; 95W Pd PrestoMOS; 30A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 143 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 74 nC + 150 C 95 W Enhancement PrestoMOS Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 143 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 74 nC - 55 C + 150 C 93 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 936 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Reel