EPC2305

Name: EPC EPC2305
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2305
Price: 7.01 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

65-EPC2305

Fabr. N.º:

EPC2305

Fabr.:

EPC

Descripción:

FET de GaN EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm

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Nuevo en Mouser

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	EPC
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	133 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	6 V, - 4 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	22 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	eGaN FET
Marca:	EPC
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Power Transistor
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	31,200 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
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