Resultados: 14
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 150 V, 4.4 mohm?, 187A 6.556En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 150 V 187 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 90.4 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 150V, 174A, 4.45mohm, PQFN 8x8 2.953En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 175 C 293 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, ___A, 4.0mohm 2.398En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 136 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 43.4 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm 1.241En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 268 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 163 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PTNG 120V N-FET 118A 4.363En existencias
6.000Fecha prevista: 31/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 120 V 114 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 82 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A 1.518En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Power MOSFET, 150 V, 4.1 mohm, 185A, Single N-Channel, D2PAK7 1.441En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 185 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 88.9 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL 2.839En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 313 A 850 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 61 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 100V, ___A, 4.2mohm 2.660En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 100 V 116 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 80V IN CEBU PQFN88 1.846En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 287 A 1.56 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 101 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 150V, 174A, 4.45mohm 1.174En existencias
3.000Fecha prevista: 09/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT Dual Cool 88-8 N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 175 C 293 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFET FET ENGR DEV-NOT REL 545En existencias
3.000Fecha prevista: 17/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000
Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 85 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V LL IN 5X6 DUALCOOL 143En existencias
6.000Fecha prevista: 15/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 235 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 91 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Dual Cool Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET Power MOSFET, 60 V, 1.1 mohm, 342 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 1.0 m?, 363 A, Single N-Channel, D2PAK7 No en almacén Plazo producción 34 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 342 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 139 nC - 55 C + 175 C 3.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel