QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia)
Qorvo FET de GaN 30W, DC - 6GHz 46En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W
Qorvo FET de GaN 30W, DC - 6GHz, Flanged
100Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W