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FGH60N60SMD

Name: onsemi FGH60N60SMD
Brand: onsemi
SKU: 512-FGH60N60SMD
Price: 6.2 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

512-FGH60N60SMD

Fabr. N.º:

FGH60N60SMD

Fabr.:

onsemi

Descripción:

IGBT 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2

Hoja de datos:

FGH60N60SMD Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 8.434

Fecha prevista: 09/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 13

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	6,20 €	6,20 €
	3,57 €	35,70 €
	2,98 €	357,60 €
	2,94 €	1.499,40 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBT
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-247
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.9 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	120 A
Pd (disipación de potencia):	600 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	FGH60N60SMD
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	6,390 g

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Hoja de datos

FGH60N60SMD Hoja de datos

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGH60N60SMD & FGH40N60SMD Field Stop IGBTs

onsemi FGH60N60SMD and FGH40N60SMD 600V Field Stop IGBTs offer the most ideal performance for Solar Inverters, UPS, SMPS, IH, and PFC applications in which low conduction and switching losses are essential. onsemi FGH60N60SMD and FGH40N60SMD 600V Field Stop IGBTs have 60A and 40A collector current ratings, respectively. Both IGBT Series offer a maximum junction temperature of 175ºC, a positive temperature co-efficient for an easy parallel operating, high current capability, low saturation voltage, high input impedance, fast switching ability, and tight parameter distribution.

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.