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GP3D050B170B

Name: SemiQ GP3D050B170B
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3D050B170B
Price: 15.02 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

148-GP3D050B170B

Fabr. N.º:

GP3D050B170B

Fabr.:

SemiQ

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

GP3D050B170B Hoja de datos (PDF)

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	12,02 €	120,20 €
	10,39 €	1.246,80 €
25.020	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	50 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.7 kV
Vf - Tensión delantera:	2.27 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	360 A
Ir - Corriente inversa:	42 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Pd (disipación de potencia):	789 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	1.7 kV

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Hoja de datos

GP3D050B170B Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC Schottky Discrete Diodes

SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes feature near-zero switching loss and reduced heat dissipation, increasing efficiency and requiring smaller heatsinks. The SiC Schottky Discrete Diodes are easy to parallel with fast, temperature-independent switching. The SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes are designed for solar inverters, power supplies, motor drives, and charging station applications.

Diodo Schottky de SiC QSiC™ de 1700 V GP3D050B170B

El diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) QSiC™ de 1700 V GP3D050B170B de SemiQ se suministra en un paquete TO-247-2L diseñado para satisfacer las demandas de tamaño y potencia en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI), inversores solares y estaciones de carga de vehículos eléctricos (EV). Este diodo discreto ofrece una corriente de recuperación inversa cero y una pérdida de conmutación cercana a cero, así como una gestión térmica perfeccionada que reduce las necesidades de enfriamiento. Esto se traduce en diseños sumamente eficientes y de alto rendimiento que minimizan la disipación de calor del sistema, permitiendo el uso de disipadores más pequeños para ahorrar espacio y costes. El módulo GP3D050B170B también admite configuraciones paralelas sencillas para mejorar la flexibilidad y la escalabilidad en aplicaciones de alimentación. El diodo Schottky de SiC QSiC de 1700 V GP3D050B170B de SemiQ permite una conmutación rápida en un intervalo de temperaturas de unión en funcionamiento de -55°C a +175°C.