Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

IXSA80N120L2-7TR

Name: IXYS IXSA80N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA80N120L2-7TR
Price: 10.32 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

747-IXSA80N120L2-7TR

Fabr. N.º:

IXSA80N120L2-7TR

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IXSA80N120L2-7TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre IXYS IXSA80N120L2-7TR

En existencias: 760

Existencias:: 760 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 27 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	10,32 €	10,32 €
	8,40 €	84,00 €
	6,58 €	658,00 €
	6,24 €	3.120,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	6,04 €	4.832,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263-7L
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	79 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	39 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	135 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	395 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13.6 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	24.6 ns
Serie:	IXSA80N120L2-7
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	28.6 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15.4 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IXSA80N120L2-7TR Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC IXSA80N120L2-7

IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET features low conduction losses, low gate drive power requirements, and low thermal management effort and is optimized for gate control. The IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET is used for high-speed industrial switch-mode power supplies. This SiC MOSFET is ideal for solar inverters, switch-mode power supplies, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating.