MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1200 V

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1200 V de Wolfspeed   establecen el estándar de rendimiento, resistencia y facilidad de diseño. Los MOSFET de Wolfspeed ofrecen una conmutación rápida y una pérdida de conmutación baja, lo que garantiza una mejora significativa en la eficiencia del sistema, la densidad de potencia y el coste total de la lista de materiales en comparación con los MOSFET de silicio e IGBT.

Resultados: 24
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
Hoja de datos
3.095En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Hoja de datos
88En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
Hoja de datos
661En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
Hoja de datos
724En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-263-7, Industrial
Hoja de datos
903En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Hoja de datos
644En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 16mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
840En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
444En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Hoja de datos
460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 108 nC - 40 C + 175 C 341 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
309En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Hoja de datos
314En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 40 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Hoja de datos
647En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 150 C 172 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
Hoja de datos
1.001En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 111 nC - 40 C + 175 C 277 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
139En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
220En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
384En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Hoja de datos
621En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
Hoja de datos
715En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 99 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-3, Industrial
Hoja de datos
1.717En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 160 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 150 C 97 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
Hoja de datos
256En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 54 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Hoja de datos
71En existencias
450Fecha prevista: 12/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 162 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Hoja de datos
Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Hoja de datos
450Fecha prevista: 24/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7, Industrial
Hoja de datos
998Fecha prevista: 08/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement