Resultados: 24
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial 190En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET 1.480En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial 3.427En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial 731En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial 965En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial 661En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial 644En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 406En existencias
450Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial 460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 108 nC - 40 C + 175 C 341 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 315En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial 344En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 40 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial 657En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 150 C 172 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 19En existencias
450Fecha prevista: 19/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial 646En existencias
1.000Fecha prevista: 19/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 111 nC - 40 C + 175 C 277 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial 395En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 54 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 141En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 230En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 384En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET 196En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET 894En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial 327En existencias
450Fecha prevista: 04/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 99 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial 858En existencias
900Fecha prevista: 28/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 160 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 150 C 97 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET 278En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 162 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial 107En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement