Resultados: 10
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
721En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO263-7 N-Channel 1 Channel 135 V 207 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1.668En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO263-7 N-Channel 1 Channel 135 V 250 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
915En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 135 V 297 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 159 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1.332En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 135 V 297 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 159 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1.699En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 135 V 212 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
3.914En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 172 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
4.813En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 142 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
353En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 135 V 98 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
117En existencias
8.000Fecha prevista: 12/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
570En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 54 A 14.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 21 nC 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel