NXH010P90MNF1 SiC Module

onsemi NXH010P90MNF1 SiC Module contains a 10Mohm 900V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 15V to 18V. The NXH010P90MNF1 has an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Serie
Empaquetado
onsemi Módulos MOSFET SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 900 V, 10 mohm SiC M2 MOSFET
Hoja de datos
8En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 900 V 154 A 14 mOhms - 8 V, + 18 V - 40 C + 150 C 328 W NXH010P90MNF1 Tray
onsemi Módulos MOSFET SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 900 V, 10 mohm SiC M2 MOSFET TIM option
Hoja de datos
28En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P90MNF1 Tray