CoolMOS® Power Transistors

Infineon Technologies has expanded its offering of CoolMOS® Power Transistors that use a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle. These CoolMOS® Power Transistors provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET, while offering an extremely fast and robust body diode. Infineon Technologies CoolMOS® Power Transistors are especially suited for resonant switching PWM stages for PC Silverbox, LCD TV, lighting, server and telecom applications. Infineon Technologies CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

Resultados: 6
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 257 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 118 nC - 55 C + 150 C 277.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 17 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 1 Channel 650 V 22.4 A 351 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 34.7 W Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 730 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 104.2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 43.3 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 167 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.7 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31.5 nC - 55 C + 150 C 83.3 W Enhancement CoolMOS Tube