MJD2873 NPN 50V 2A High Power Bipolar Transistors

Nexperia MJD2873 NPN 50V 2A High Power Bipolar Transistors come in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) surface-mounted device (SMD) plastic package. These devices have a high thermal power dissipation capability and have high energy efficiency due to less heat generation. The Nexperia MJD2873 has a low collector-emitter saturation voltage and has fast switching speeds. Typical applications for these devices are power management, load switch, linear mode voltage regulator, constant current drive backlighting, motor drives, and relay replacement. The MJD2873-Q bipolar transistor is AEC-Q101 qualified.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Configuración
Corriente del colector DC máxima
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje emisor-base VEBO
Voltaje de saturación colector-emisor
Pd (disipación de potencia)
Producto fT para ganancia de ancho de banda
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Empaquetado
Nexperia Transistores bipolares - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
Hoja de datos
3.530En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 2 A 50 V 6 V 300 mV 15 W 65 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 3 A 50 V 6 V 300 mV 1.6 W 65 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel