Módulos de medio puente MOSFET SiC GCMX de 1200 V

Los módulos de medio puente MOSFET SiC GCMX de 1200 V de SemiQ ofrecen pérdidas de conmutación bajas, una resistencia térmica de unión a carcasa baja y un montaje muy resistente y sencillo. Estos módulos se montan directamente en el disipador (paquete aislado) e incluyen una referencia Kelvin para un funcionamiento estable. Todas las piezas han sido probadas rigurosamente para soportar tensiones superiores a 1350 V. La característica destacada de estos módulos es la robusta tensión de drenaje a fuente de 1200 V. Los módulos de medio puente GCMX funcionan con una temperatura de unión de 175°C y cumplen lo establecido en la directiva RoHS. Entre las aplicaciones típicas se incluyen inversores fotovoltaicos, cargadores de baterías, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores de CC a CC de alta tensión.

Resultados: 9
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Serie
Empaquetado
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module
Hoja de datos
10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount S3 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 625 A 5.5 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 2.113 kW GCMX Bulk
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
Hoja de datos
34En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 383 A 4.4 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.154 kW GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
Hoja de datos
40En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 102 A 19 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 385 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 3mohm MOSFET S7 Half-Bridge Module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

GCMX Bulk
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Screw Mount S3 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 424 A 7 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 1.531 kW GCMX Bulk
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 10

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 348 A 4.9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.042 kW GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 214 A 9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 173 A 9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 577 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 40mohm SiC MOSFET Half Bridge Module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk