SICW20C120 Silicon Carbide Schottky Diodes

Diotec Semiconductor SICW20C120 Silicon Carbide Schottky Diodes feature low capacitive charge, high-speed switching, and a high reverse voltage. The SICW20C120 diodes offer a <1.8V forward voltage and a 1200V repetitive peak reverse voltage. The device is ideally suited for high voltage/high-frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Configuración If - Corriente delantera Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión delantera Ifsm - Corriente de sobretensión delantera Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
Diotec Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1200V, 40A 450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SICW Tube
Diotec Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1200V, 20A 437En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 10 A 1.2 kV 1.8 V 80 A - 50 C + 175 C SICW Tube