Resultados: 7
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Producto Configuración Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje de saturación colector-emisor Corriente continua del colector a 25 C Corriente de fuga puerta-emisor Empaquetado / Estuche Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode 30En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 600 A dual IGBT module 24En existencias
8Fecha prevista: 11/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A common emitter IGBT module 29En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module 30En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module 28En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
32Fecha prevista: 11/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
32Fecha prevista: 11/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray